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Dose dependence of the production yield of endohedral $$^{133}$$Xe-fullerene by ion implantation

イオン注入による$$^{133}$$Xe内包フラーレンの生成率のイオン照射量依存性

渡辺 智; 石岡 典子; 下村 晴彦*; 村松 久和*; 関根 俊明

Watanabe, Satoshi; Ishioka, Noriko; Shimomura, Haruhiko*; Muramatsu, Hisakazu*; Sekine, Toshiaki

イオン注入による$$^{133}$$Xe内包フラーレンの生成の最適条件を調べることを目的とし、$$^{133}$$Xe内包フラーレンの生成率のイオン注入量及び注入エネルギー依存性について調べた。Ni基盤上に蒸着したフラーレンをターゲットとし、同位体分離器により$$^{133}$$Xeを30,34及び38keVでイオン注入した。$$^{133}$$Xeのイオン注入量は1$$times$$10$$^{12}$$~1$$times$$10$$^{14}$$個/cm$$^{2}$$とした。照射後のターゲットをオルト・ジクロロベンゼンに溶解した後、HPLC分析により$$^{133}$$Xe内包フラーレンの生成率を求めた。この生成率は、イオン注入量及び注入エネルギーの増加とともに減少することがわかった。これは、一度生成した$$^{133}$$Xe内包フラーレンが、後から注入される$$^{133}$$Xeイオンによって壊されて無定形炭素化するためと結論付けた。

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