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Behavior and removal of impurity sulphate in sol-gel process for ThO$$_{2}$$ and (Th,U)O$$_{2}$$ microsphere fabrication

ThO$$_{2}$$,(Th,U)O$$_{2}$$微小球製造のためのゾルゲル法における不純物硫酸塩の挙動と除去

山岸 滋; 高橋 良寿

not registered; Takahashi, Yoshihisa

(Th,U)O$$_{2}$$微小球製造のためのゾルゲル法において、原料のTh(NO$$_{3}$$)$$_{4}$$から持込まれる不純物硫酸塩の挙動を研究している。ゾル中では、U含有率U/M(M:Th+U)のいかんにかかわらず、ほとんどすべての硫酸イオンがコロイド粒子に吸着している。しかし、ゲル球中の硫酸イオンは、U/Mが10mol%以上の場合容易に洗い出されるが、より低いU/Mではそうではない。特にThO$$_{2}$$ゲル球中の硫酸イオンは長時間洗浄でも除くのが困難である。ゲル球中に残る硫黄は空気または水蒸気中1000$$^{circ}$$C 3hの加熱で除去できる。ThO$$_{2}$$の場合は1300$$^{circ}$$C加熱で除かれる。一方、Ar-4%H$$_{2}$$中加熱では、1500$$^{circ}$$Cでもほとんどの硫黄が同定できていないM-O-S化合物として残る。加熱中に硫黄は水素と反応してH$$_{2}$$Sとなり徐々に放出される。研究の結果、ゾルゲル工程中に不純物硫酸塩を除去する適当な条件を見出している。

no abstracts in English

使用言語

 :

English

掲載資料名

 :

Journal of Nuclear Science and Technology

巻

 :

26

号

 :

10

ページ数

 :

p.939 - 947

発行年月

 :

1989/10

発表会議名

 :

開催年月

 :

開催都市

 :

開催国

 :

キーワード

 :

Behavior; Fabrication; Impurity; Microsphere; Removal; Sol-gel Process; Sulphate; Sulphur; (Th,U)O$$_{2}$$

特許データ

 :

PDF

 :


論文URL

 :

https://doi.org/10.3327/jnst.26.939

研究データの公開先DOI

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使用施設

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広報プレスリリース

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