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Binary encounter peaks for 0° electrons in collisions between 2 MeV/amu Si$$^{q+}$$ and He

2MeV/amuのSi$$^{q+}$$とHeとの衝突における0°電子のバイナリーピーク

P.Hvelplund*; 俵 博之*; 小牧 研一郎*; 山崎 泰規*; 黒木 健郎*; 渡辺 比呂志*; 川面 澄*; 左高 正雄; 今井 誠; 金井 保之*; 神原 正*; 粟屋 容子*

P.Hvelplund*; not registered; Komaki, Kenichiro*; not registered; not registered; not registered; Kawatsura, Kiyoshi*; Sataka, Masao; Imai, Makoto; Kanai, Yasuyuki*; Kambara, Tadashi*; not registered

タンデム加速器から得られた56MeVのSi$$^{q+}$$イオンとヘリウム原子の衝突で放出されたバイナリー電子をイオンビームに対し0度の方向で測定し、その強度の入射イオン電荷(6+~14+)に対する依存性を調べた。その結果はフッ素イオンを用いて研究したRichardらの結果と定性的に一致し、入射イオン電荷が小さくなるとバイナリー強度が大きくなった。またイオンの外側のスクリーニングを考慮したTaulbiergの理論値と本測定値とは良い一致を見た。

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分野:Physics, Multidisciplinary

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