Elution of residual ions with etching of heavy ion-injected polyimide

重イオン照射ポリイミドのエッチングに従って溶出するイオンについて

古牧 睦英; 石川 二郎; 桜井 勉; 松本 安世*

Komaki, Yoshihide; not registered; Sakurai, Tsutomu; Matsumoto, Yasuyo*

一定図形のマスク越しにポリイミドに重イオンを多重照射しエッチングすると、一定深さの溝を持つ図形が形成される。重イオン照射・エッチング法による微細加工が可能となる時、図形形成後の溝中に残存するイオン量を知ることが重要となる。特に絶縁体のポリイミドが電子部品に応用される時、絶縁性能が影響される。しかし、現在、イオンを一個づつポリイミド中で計測する方法はない。そこで、注入イオンを放射化し、エッチングに伴って溶出して残るポリイミド内放射能を測定し、エッチングと注入イオン、残存イオンとの関係を調べた。~16/cmのイオン注入に際しては、イオンの飛程の深さの計算値より10%余分に溶解すると、残存放射能は検出感度以下となることが分った。

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