Direct formation of CuTCNQ complex salts with dual deposition

2元蒸着によるCuTCNQ錯体塩の直接合成

金を100nmコーティングしたガラス基板を250Kに温調し、銅とTCNQをそれぞれ2nm/minの蒸着速度で同時に蒸着した。生成した薄膜の赤外吸収スペクトルを測定した結果、銅板をTCNQのアセトニトリル溶液に接触させて合成した錯体塩の赤外吸収スペクトルに似たスペクトルが観測された。銅からTCNQへの電荷移動の割合は合成したCuTCNQでは0.6であったが、二元蒸着で作製した錯体塩では0.4であった。

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使用言語	:	English
掲載資料名	:	Thin Solid Films
巻	:	247
号	:
ページ数	:	p.148 - 150
発行年月	:	1994/00
発表会議名	:
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キーワード	:	TCNQ; 赤外吸収スペクトル; 錯体塩; CuTCNQ; 電荷移動; 二元蒸着

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論文URL	:	https://doi.org/10.1016/0040-6090(94)90791-9
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Access	:	- Accesses
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InCites™	:	パーセンタイル：77.59 分野：Materials Science, Multidisciplinary
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登録番号 : A19930406
抄録集掲載番号 : 220633
論文投稿番号 : 12569

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