Simulation of a two-dimensional Rayleigh-Benard system using the direct simulation Monte Carlo method

直接シミュレーションモンテカルロ法による二次元レイリーベナール系のシミュレーション

渡辺 正; 蕪木 英雄; 横川 三津夫

Watanabe, Tadashi; not registered; Yokokawa, Mitsuo

二次元レイリーベナール系を直接シミュレーションモンテカルロ法により分子レベルからシミュレートした。左右境界は鏡面反射条件とし、上下境界は完全な拡散反射条件とした。レイリー数が小さい場合には熱伝導状態、大きい場合には対流熱伝達状態が実現され、それらの遷移を与える臨界レイリー数は、巨視的な熱流体方程式の安定性解析から得られる値と一致した。これにより、レイリーベナール不安定性が分子レベルで表されることが示された。また、一般に用いられる擬似すべり条件を上下境界に適用すると、臨界レイリー数は過大評価されることが解った。

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