probed by positron annihilation上殿 明良*; 河野 孝央*; 谷川 庄一郎*; 伊藤 久義
Uedono, Akira*; not registered; not registered; Ito, Hisayoshi
3MeV電子線を照射した石英ガラス中の欠陥を陽電子消滅法を用いて調べた。未照射試料では、マイクロボイドや細孔の様なオープンスペース型欠陥に捕獲された陽電子は主にポジトロニウムを形成後消滅することが解った。また陽電子がポジトロニウムを形成する確率は、電子線照射により低下することが見い出された。このポジトロニウム形成確率の減少は、照射により導入あるいは励起された点欠陥により陽電子が捕捉されることに起因すると考えられる。さらに、ポジトロニウム形成に関連し、形成確率の減少とガラス中の水酸基濃度間には強い相関があることが示された。また、陽電子寿命計測から、電子線照射によりガラス中のオープンスペース型欠陥の有効サイズが減少することが解った。
no abstracts in English
使用言語 |
: | English |
|---|---|---|
掲載資料名 |
: | |
巻 |
: | 6 |
号 |
: | |
ページ数 |
: | p.8669 - 8677 |
発行年月 |
: | 1994/00 |
キーワード |
: |
論文URL |
: |
|
|---|---|---|
論文解説記事 |
: |
Access |
: |
- Accesses |
|---|---|---|
InCites™ |
: |
パーセンタイル：81.2 分野：Physics, Condensed Matter |
Altmetrics |
: |
[CLARIVATE ANALYTICS], [WEB OF SCIENCE], [HIGHLY CITED PAPER & CUP LOGO] and [HOT PAPER & FIRE LOGO] are trademarks of Clarivate Analytics, and/or its affiliated company or companies, and used herein by permission and/or license.
