松田 恭博*; 花田 磨砂也; 井上 多加志; 小島 啓明; 小原 祥裕; 奥村 義和; 渡邊 和弘
not registered; Hanada, Masaya; Inoue, Takashi; Kojima, Hiroaki; Ohara, Yoshihiro; Okumura, Yoshikazu; Watanabe, Kazuhiro
ECRプラズマ源にはカソードが必要ないことや低ガス圧で運転が可能などいくつかの利点がある。我々はこれらの特徴に注目し負イオン源並びにプラズマ中性化セルへの応用を目指した高密度ECRイオン源を開発した。生成されたプラズマのパラメータ測定には磁界に直交する様に挿入されたラングミューアプローブを用いた。水素プラズマにおいて負イオン生成に適した電子温度1eV、イオン飽和電流密度80mA/cm
と比較的高密度のプラズマが生成された。またキセノンプラズマにおいては0.016Paと低ガス圧でJis=150mA/cmと電離度の高い高密度プラズマが得られた。以上の様にECRプラズマが負イオン源やプラズマ中性化セルへの応用に有効であることがわかった。
no abstracts in English
使用言語 |
: | English |
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掲載資料名 |
: | Proceedings of the 12th Symposium on Ion Sources and Ion-Assisted Technology |
巻 |
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号 |
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ページ数 |
: | p.107 - 110 |
発行年月 |
: | 1989/00 |
発表会議名 |
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開催年月 |
: | 1989/06 |
開催都市 |
: | Tokyo |
開催国 |
: | Japan |
キーワード |
: | ECR Plasma; Cathodless; Negative Ion Source; High Density Plasma; Plasma Neutralizer |
論文URL |
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論文解説記事 |
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Access |
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- Accesses |
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Altmetrics |
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