Ion irradiation effects in EuBa $_{2}$ Cu $_{3}$ O $_{y}$ thin film

EuBa $_{2}$ Cu $_{3}$ O $_{y}$ 薄膜のイオン照射効果

not registered; Iwase, Akihiro; Iwata, Tadao; Maeta, Hiroshi; not registered; not registered

C軸配向したEuBa $_{2}$ Cu $_{3}$ O $_{y}$ 超伝導薄膜について、ピニング機構のHeイオン照射効果を調べた。ピニングの強さを表わす磁束の活性化エネルギーを磁場中抵抗の温度依存性から見積った。flux creep modelが成り立つと考えられる低抵抗領域における活性化エネルギーは、Heイオンの照射量の増加にしたがって減少し、ピニング特性が劣化することが分かった。さらに我々は、臨界電流密度の照射量依存性を測定し、それがT $_{c}$ の殆ど変化しない低照射量領域(~10 $^{14}$ cm $^{-2}$ )ですでに減少し、Heイオン照射による点状欠陥がピニングセンターとして機能しない、という結論を得た。

no abstracts in English

使用言語	:	English
掲載資料名	:	J. Supercond.
巻	:	7
号	:	1
ページ数	:	p.241 - 242
発行年月	:	1994/00
発表会議名	:	Physics and Chemistry of Molecular & Oxide Superconductors
開催年月	:	1993/07
開催都市	:	America
開催国	:
キーワード	:	High-T $_{c}$ Superconductors; Irradiation Effects; Activation Energy; Flux Pinning; Critical Current

特許データ	:
PDF	:

論文URL	:
研究データの公開先DOI	:
使用施設	:
広報プレスリリース	:
論文解説記事 (成果普及情報誌)	:
受委託・共同研究相手機関	:

Access	:	- Accesses
Web of Science® Times Cited Count	:	被引用回数：評価・統計等のため最新の被引用回数を確認したい場合は、直接Web of Science®をご確認ください。 http://www.webofknowledge.com/wos
InCites™	:
Altmetrics	:

登録番号 : B19930258
抄録集掲載番号 : 220646
論文投稿番号 : 12582

[CLARIVATE ANALYTICS], [WEB OF SCIENCE], [HIGHLY CITED PAPER & CUP LOGO] and [HOT PAPER & FIRE LOGO] are trademarks of Clarivate Analytics, and/or its affiliated company or companies, and used herein by permission and/or license.

Ion irradiation effects in EuBaCuO thin film

EuBaCuO薄膜のイオン照射効果

Ion irradiation effects in EuBa $_{2}$ Cu $_{3}$ O $_{y}$ thin film

EuBa $_{2}$ Cu $_{3}$ O $_{y}$ 薄膜のイオン照射効果