傾斜エッチング法による絶縁膜中電荷分布測定

Evaluation of charge distribution in insulators by means of slanted etching

Imaki, Shunsaku*; not registered; Takahashi, Yoshihiro*; Yoshikawa, Masahito; Onishi, Kazunori*

放射線照射や電荷注入による捕獲電荷がMIS構造の絶縁膜中において分布する場合、その膜中電荷分布を把握することが電荷捕獲機構や素子特性への影響などを解明する上で重要である。そこで同一素子内で絶縁膜厚をエッチングによって変化させ、各膜厚に対するMIS構造のミッドギャップ電圧より膜中の電荷分布評価を行う方法を考案し、MOS構造についてNH $_{3}$ アニール後および放射線照射前後での酸化膜中電荷分布を評価した。この結果NH $_{3}$ アニールにより電極界面付近の電荷量が変化し、Si-SiO $_{2}$ 界面準位が増加することがわかった。また放射線照射前の酸化膜中ではSi-SiO $_{2}$ 界面付近に正電荷が局在し、電荷量は製作時の初期酸化膜厚には依存せず、酸化温度上昇に伴って減少すること、放射線照射後ではSi-SiO $_{2}$ 界面付近で正電荷が捕獲され、その捕獲量は酸化温度に依存することがわかった。

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使用言語	:	Japanese
掲載資料名	:	平成5年度 (第37回)日本大学理工学部学術講演会講演論文集; 材料・物性
巻	:
号	:
ページ数	:	p.135 - 136
発行年月	:	1993/00
発表会議名	:	日本大学理工学部学術講演会
開催年月	:	1993/11
開催都市	:	船橋
開催国	:
キーワード	:	エッチング; MOS構造; 捕獲電荷; 電荷分布; 測定法; NH $_{3}$ アニール; 線照射; 酸化温度; 界面準位密度

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登録番号 : B19930885
抄録集掲載番号 : 220077
論文投稿番号 : 12158

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