Effects of micro-beam induced damage on single-event current measurements

マイクロプローブ照射欠陥のシングルイベント電流測定への効果

平尾 敏雄; 梨山 勇; 神谷 富裕; 西島 俊二*

Hirao, Toshio; Nashiyama, Isamu; Kamiya, Tomihiro; Nishijima, Toshiji*

人工衛星搭載電子デバイス等宇宙環境で使用される半導体素子には、銀河宇宙線等の高エネルギー重イオンの入射により「ソフトエラー」や「ハードエラー」などのシングルイベント現象が引き起こされる。シングルイベント現象の機構を解明するために、重イオンマイクロビームを利用し、入射時に発生する過渡電流波形から収集電荷量を求めている。本報告では、重イオンマイクロビームを入射した時の放射線損傷について、実験値とキンチンピースモデル及びトリム計算から比較検討した結果、理論的に損傷を説明できる方法が得られたので、それについて述べることとした。

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