Test structure for determining the charge distribution in the oxide of MOS structure

MOS構造における酸化膜中電荷分布の評価方法

Takahashi, Yoshihiro*; Imaki, Shunsaku*; Onishi, Kazunori*; Yoshikawa, Masahito

放射線照射や電荷注入による捕獲電荷がMOS構造の酸化膜中において分布する場合、その膜中電荷分布を把握することは電荷捕獲機構や素子特性への影響などを解明する上で重要である。我々は、酸化膜厚をエッチングにより同一基板内で連続的に変化させ、各膜厚に対するMOS構造のミッドギャップ電圧により酸化膜中の電荷分布評価を行う方法を考案した。今回この方法を用いて、MOS構造の酸化膜中電荷分布に及ぼす酸化膜形成後のNH $_{3}$ 雰囲気中での高温熱処理の影響について評価した。その結果、熱処理を行っていない酸化膜中では、これまでの報告と同様にSi-SiO $_{2}$ 界面付近に正電荷が局在することが確認された。またNH $_{3}$ 雰囲気中の熱処理を施すと、界面より20nm付近に正電荷および負電荷が発生し、これらの発生量は熱処理時間に依存することがわかった。この現象は酸化膜中への窒素の拡散に起因するものと考えられる。

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使用言語	:	English
掲載資料名	:	Proceedings of IEEE 1995 International Coferece on Microelectronic Test Structures, Vol.8
巻	:
号	:
ページ数	:	p.243 - 246
発行年月	:	1995/03
発表会議名	:	IEEE 1995 International Coferen on Microelectronic Test Structures (ICMTS 1995)
開催年月	:	1995/03
開催都市	:	Nara
開催国	:	Japan
キーワード	:	MOS構造; 電荷分布; 捕獲正電荷; 測定方法; NH $_{3}$ アニール; ミッドギャップ電圧; SiO $_{2}$

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登録番号 : B19941441
抄録集掲載番号 :
論文投稿番号 : 27196

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