ions with H atoms+H)系not registered; Shirai, Toshizo; Shimakura, N.*
多価イオン-原子衝突によって生じる電子捕獲反応の外部磁場効果の研究を、分子基底に基づいた半古典的緊密結合法を用いて理論的に行った。この計算では、電子並進因子だけではなく、ゲージ不変性を考慮するための位相因子も含めた。磁場の効果は一次まで取り込み、磁場の向きは任意の場合を扱った。また、入射粒子の運動に伴う分極の効果は非常に小さいために無視した。この方法を一重項(B+H)系に対して適用し、全ての磁場の向きで平均化した電子捕獲断面積を求めた。得られた全断面積は、磁場とともに少しずつ増加した。また、磁場が衝突平面に対して垂直の場合に磁場効果が最も大きくなった。
no abstracts in English
使用言語 |
: | English |
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掲載資料名 |
: | |
巻 |
: | T73 |
号 |
: | |
ページ数 |
: | p.110 - 111 |
発行年月 |
: | 1997/00 |
発表会議名 |
: | 8th Int. Conf. on the Physics of Highly Charged Ions (HCI-96) |
開催年月 |
: | 1996/09 |
開催都市 |
: | 大宮 |
開催国 |
: | |
キーワード |
: | Electron Capture; Boron; Hydrogen; Molecular Orbital; Close-coupling; Magnetic Field Effects |
論文URL |
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論文解説記事 |
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Access |
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- Accesses |
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InCites™ |
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パーセンタイル：19.26 分野：Physics, Multidisciplinary |
Altmetrics |
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