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トランジスタの$$gamma$$線及び電子線照射効果; 線量率及び照射温度の効果

Irradiation effect of transistor by Co-60 gamma ray and electron beam; Effects of dose rate and exposure temperatures

平尾 敏雄; 吉川 正人; 森田 洋右; 貝賀 秀明*; 矢田 正信*

Hirao, Toshio; Yoshikawa, Masahito; Morita, Yosuke; not registered; not registered

使用環境に応じた半導体素子の照射劣化挙動を調べるために、バイポーラトランジスタ2種及びパワーMOSトランジスタを用いて、$$gamma$$線照射による電気特性の線量率依存性を求めた。線量率依存性の他に電子線と$$gamma$$線照射との比較及び照射温度を-40$$^{circ}$$C~100$$^{circ}$$Cまで変化された時の電気特性の変化も求めた。なお、$$gamma$$線照射の線量率は、10$$^{2}$$R/h~10$$^{6}$$R/hまでの広い範囲にわたって行った。この結果、高耐圧低速度スイッチング及び通信工業用の2SB603(PNP)トランジスタの電気特性で顕著な線量率及び照射温度依存性が認められたが、高速度スイッチング及び高周波増幅用の2SC764(NPN)及びNチャンネルパワーMOSトランジスタの電気特性では、線量率及び照射温度依存性が少ないことが明らかとなった。

no abstracts in English

使用言語

 :

Japanese

報告書番号

 :

JAERI-M 89-207

ページ数

 :

128 Pages

発行年月

 :

1989/12

特許データ

 :

PDF

 :

JAERI-M-89-207.pdf:2.62MB

論文URL

 :

https://doi.org/10.11484/jaeri-m-89-207

キーワード

 :

照射効果; バイポーラトランジスタ; パワーMOSトランジスタ; コバルト60$$gamma$$線照射; 電子線照射; 直流増幅率; 漏れ電流; しきい値電圧

使用施設

 :

広報プレスリリース

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