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Onset of ELMs in JT-60U

JT-60UにおけるELMの発生条件

鎌田 裕; 佐藤 正泰; 菊池 満; 森 雅博

Kamada, Yutaka; Sato, Masayasu; Kikuchi, Mitsuru; Mori, Masahiro

JT-60Uにおいて、閉じ込め性能を制限しているELMは、加熱パワーがHモード遷移に必要なしきい値より充分大きい場合に発生する。ELMの無いHモードが得られるのは、線平均電子密度が、あるしきい値線平均電子密度のしきい値n$$_{east}$$以下の場合のみであり、それ以上の線平均電子密度ではELMが出現する。この密度しきい値n$$_{east}$$は、バルーニングモードの指標パラメータである(Bt$$^{2}$$/Rq$$_{eff2}$$)liとともに上昇する。(n$$_{east}$$Ti(95%)/(√Ti(95%)/Bp(a))で評価した周辺圧力勾配は、上記のバルーニング指標パラメータと良い比例関係にある。この依存性から、JT-60UのELMは、バルーニングモードに起因していると理解される。プラズマ中の圧力分布及びブートストラップ電流を含めた電流分布の時間発展解析の結果、プラズマ周辺部での急峻な圧力勾配は、高n理想バルーニングモードの安定限界に近接していることがわかった。

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