Annealing enhancement effect by light illumination on proton irradiated Cu(In,Ga)Se thin-film solar cells

陽子線照射したCu(In,Ga)Se薄膜太陽電池の光照射による回復促進現象

川北 史朗*; 今泉 充*; 山口 真史*; 櫛屋 勝巳*; 大島 武; 伊藤 久義; 松田 純夫*

Kawakita, Shiro*; Imaizumi, Mitsuru*; Yamaguchi, Masafumi*; Kushiya, Katsumi*; Oshima, Takeshi; Ito, Hisayoshi; Matsuda, Sumio*

次世代の宇宙用高効率薄膜太陽電池として期待されているCu(In,Ga)Se太陽電池の陽子線照射効果後の特性回復現象を調べた。陽子線照射容器に模擬太陽光源を取り付けることで、in-situで出力特性が測定できる装置を用いて実験を行った。照射後、暗状態で一定時間放置し、その後、太陽電池特性を測定したところ回復現象が観測された。さらに、太陽電池へ光をあてた状態で放置後に特性測定した場合には、回復現象が促進されることが見出された。測定温度依存性より、この回復現象に必要な活性化エネルギーを求めたところ、光照射の場合は0.80eVで、暗状態では0.92eVであると見積もられた。

Recovery of electrical characteristics of Cu(In,Ga)Se irradiated with protons was studied. A proton irradiation chamber which has a AM0 solar light was used for in-situ measurement in this study. The electrical characteristics of irradiated samples which were kept under a dark condition recovered. Furthermore,this recovery effect was enhanced by light illumination. The activation energy for the recovery was estimated to be 0.80 eV (light illumination case) and 0.92 eV (dark condition case).