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$$beta$$-FeSi$$_{2}$$薄膜の結晶構造におけるSi基板処理効果

Effect of treatment for Si substrate on the crystal structure of $$beta$$-FeSi$$_{2}$$ thin film

原口 雅晴; 山本 博之; 山口 憲司; 笹瀬 雅人*; 仲野谷 孝充  ; 斉藤 健; 北條 喜一

Haraguchi, Masaharu; Yamamoto, Hiroyuki; Yamaguchi, Kenji; Sasase, Masato*; Nakanoya, Takamitsu; Saito, Takeru; Hojo, Kiichi

環境半導体,$$beta$$-FeSi$$_{2}$$は人体への悪影響が少なく、資源も豊富に存在する元素からなる環境に配慮した材料であり、受発光素子・熱電変換素子などへの応用が期待されている。本研究ではSi基板の表面処理法が成膜した$$beta$$-FeSi$$_{2}$$の結晶性に及ぼす影響を検討することを目的として、高温加熱処理,スパッタ処理,化学処理の3種の異なる方法で処理した基板を用いてそれぞれFeをスパッタ蒸着し成膜を試みた。得られたX線回折スペクトルから、高温加熱処理した基板を用いた場合は成膜温度973Kにおいて$$beta$$相ではあるものの種々の結晶方位が混在する膜となった。一方スパッタ処理,化学処理による基板の場合ではいずれも比較的良好な結晶性を持つ$$beta$$-FeSi$$_{2}$$膜が得られた。スパッタ処理法は簡易ではあるが表面に欠陥が残ることが予想される。この処理法によって原子レベルで平滑な表面が得られる化学処理と同等以上の膜が得られたことは、基板表面における拡散・反応過程が重要な過程となる本成膜法では欠陥の存在がFe-Si相互拡散を促進させ、薄膜形成に有利に働いたことを示している。

no abstracts in English

使用言語

 :

Japanese

掲載資料名

 :

真空

巻

 :

45

号

 :

10

ページ数

 :

p.749 - 753

発行年月

 :

2002/10

発表会議名

 :

開催年月

 :

開催都市

 :

開催国

 :

キーワード

 :

$$beta$$-FeSi$$_{2}$$; 環境半導体; 基板処理; 薄膜; 結晶構造; X線回折; イオンビームスパッタ蒸着法; 拡散

特許データ

 :

PDF

 :


論文URL

 :

https://doi.org/10.3131/jvsj.45.749

研究データの公開先DOI

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使用施設

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広報プレスリリース

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