The Role of high-injection effects on the transient ion beam induced current response of high-speed photodetectors

高速光検出器によって取り出されるイオンビーム誘起過渡電流への高注入効果の役割

Laird, J. S.; Hirao, Toshio; Onoda, Shinobu*; Kamiya, Tomihiro

高エネルギーイオンは半導体素子中でエネルギーを失い、高密度の電子-正孔対を生成する。生成された電荷は、半導体素子中の電界によって電極に収集され外部回路へ電流信号として取り出される。電荷が高密度に生成されるとそれ自身によって空間の電位勾配が減じ、電荷の移動度が小さくなることを予測した。このことを確認するために、本研究では、Si pinフォトダイオードに、酸素及び炭素の2種類のイオンを照射し、生成される電子-正孔密度が異なる場合の、空間電荷効果及び移動度の違いを議論する。われわれはこの過程のモデル化を試み、この実験結果と3次元シュミレータ(TCAD)による計算とを比較したので報告する。

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使用言語	:	English
掲載資料名	:	Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B
巻	:	219-220
号	:
ページ数	:	p.1015 - 1021
発行年月	:	2004/06
発表会議名	:	16th International Conference on Ion Beam Analysis (IBA 2003)
開催年月	:	2003/06
開催都市	:	Albuquerque
開催国	:	U. S. A.
キーワード	:	空間電位効果; TCAD; 移動度

特許データ	:
PDF	:

論文URL	:	https://doi.org/10.1016/j.nimb.2004.01.206
研究データの公開先DOI	:	本成果にかかわる研究データのリンクです。
使用施設	:	TIARA(イオン照射研究施設)
広報プレスリリース	:
論文解説記事 (成果普及情報誌)	:
受委託・共同研究相手機関	:

Access	:	- Accesses
Web of Science® Times Cited Count	:	被引用回数：評価・統計等のため最新の被引用回数を確認したい場合は、直接Web of Science®をご確認ください。 http://www.webofknowledge.com/wos
InCites™	:	パーセンタイル：44.60 分野：Instruments & Instrumentation
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登録番号 : B20030422
抄録集掲載番号 : 48000127
論文投稿番号 : 22478

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