Bulk damage caused by single protons in SDRAMs

SDRAMにおいて発生するシングルプロトンによるバルク損傷

Shindo, Hiroyuki*; Kuboyama, Satoshi*; Ikeda, Naomi*; Hirao, Toshio; Matsuda, Sumio*

シングルイオンやプロトンによるバルク損傷は高集積のICで非常に問題となっている。本研究では、256MbitのSDRAMにおけるバルク損傷について報告する。実験は、プロトン60MeV及びXe 2.3GeVを、構造の異なるSDRAMに照射した。測定は、SDRAMのリフレッシュレートをさまざまに変化させた状態で、故障数をカウントすることによって行った。測定の結果、リフレッシュレートが長くなるに従い、故障数と断面積は増加することがわかった。さらに、プロトンに比べ、Xeの断面積の方が大きいことも明らかになった。以上の結果を使用して、低軌道を周回する衛星にSDRAMを搭載した場合、1年に170個程度のソフトエラーを起こすことが予測できる。これは、通常のメモリと比べて大きいため、実用上大きな問題となることが推定される。

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使用言語	:	English
掲載資料名	:	IEEE Transactions on Nuclear Science
巻	:	50
号	:	6, Part1
ページ数	:	p.1839 - 1845
発行年月	:	2003/12
発表会議名	:	40th Annual International Nuclear & Space Radiation Effects Conference
開催年月	:	2003/07
開催都市	:	Monterey
開催国	:	U. S. A.
キーワード	:	バルク損傷; シングルプロトン; SDRAM; 断面積

特許データ	:
PDF	:

論文URL	:	https://doi.org/10.1109/TNS.2003.820727
研究データの公開先DOI	:
使用施設	:	TIARA(イオン照射研究施設)
広報プレスリリース	:
論文解説記事 (成果普及情報誌)	:
受委託・共同研究相手機関	:	宇宙開発事業団

Access	:	- Accesses
Web of Science® Times Cited Count	:	被引用回数：評価・統計等のため最新の被引用回数を確認したい場合は、直接Web of Science®をご確認ください。 http://www.webofknowledge.com/wos
InCites™	:	パーセンタイル：72.74 分野：Engineering, Electrical & Electronic
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登録番号 : B20030424
抄録集掲載番号 : 48000010
論文投稿番号 : 22373

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