EPR and pulsed ENDOR study of EI6 and related defects in 4-SiC

EPRとENDORによる4-SiC注のシリコンアンチサイトの構造緩和に関する研究

梅田 享英*; 石塚 雄也*; 磯谷 順一*; 森下 憲雄; 大島 武; 神谷 富裕

Umeda, Takahide*; Ishitsuka, Yuya*; Isoya, Junichi*; Morishita, Norio; Oshima, Takeshi; Kamiya, Tomihiro

p型及びn型六方晶炭化ケイ素(4-SiC)中のシリコンアンチサイト欠陥を電子常磁性共鳴(EPR)及び電子・核二重共鳴(ENDOR)により調べた。シリコンアンチサイトは4-SiCへ800Cで電子線照射(3MeV, 410/cm)を行うことで導入した。これまで正に帯電したシリコンアンチサイトのみが報告されていたが、本研究では負に帯電したシリコンアンチサイトを発見した。Si超微細相互作用よりシリコンアンチサイトの構造緩和を詳細に調べたので報告する。

EPR/pulsed-ENDOR study of silicon antisite defects in p- and n-type 4-SiC, which were generated by high-temperature (800 C) electron irradiation. For this type of defects, only a positively-charged state (Si) in p-type 4-SiC has been observed so far; however, we found a new signal in n-type 4-SiC, which was most likely to be assigned to a negatively-charged silicon antisite (Si). Both silicon antisite signals in p- and n-type samples showed a large variation in Si hyperfine (HF) interactions with decreasing the temperature. This indicates the presence of a large structural relaxation surrounding the defect.