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Formation conditions for electron internal transport barriers in JT-60U plasmas

JT-60Uプラズマにおける電子内部輸送障壁の形成条件

藤田 隆明; 福田 武司*; 坂本 宜照; 井手 俊介; 鈴木 隆博; 竹永 秀信; 居田 克巳*; 出射 浩*; 下妻 隆*; 藤澤 彰英*; 大舘 暁*; 東井 和夫*

Fujita, Takaaki; Fukuda, Takeshi*; Sakamoto, Yoshiteru; Ide, Shunsuke; Suzuki, Takahiro; Takenaga, Hidenobu; Ida, Katsumi*; Idei, Hiroshi*; Shimozuma, Takashi*; Fujisawa, Akihide*; Odachi, Satoshi*; Toi, Kazuo*

電子サイクロトロン波(EC)加熱を用いて、JT-60Uプラズマにおける電子の内部輸送障壁(ITB)の形成条件を調べた。低密度で、中性粒子ビーム加熱パワーが少ない場合に、EC加熱パワーの系統的なスキャンを行った。負磁気シアプラズマの場合には電子温度勾配が空間的に変化する点が出現し、その内側の電子温度勾配がEC加熱パワーとともにすみやかに増大し、電子熱拡散係数が1m$$^{2}$$/s以下となったのに対して正磁気シアプラズマの場合は電子温度分布は滑らかなままであり、その最大値も小さい値に留まり、電子熱拡散係数は1m$$^{2}$$/s以上であった。このことから、負磁気シアの方が電子ITBが形成されやすいことがわかった。一方、中性粒子ビーム加熱パワーが大きく、イオンのITBが形成される場合には、正磁気シアにおいても電子ITBが形成されることが観測された。これは、イオンのITBの形成に伴う大きな径電場勾配あるいは圧力勾配が電子ITBの形成に有効に働いたためと考えられる。

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パーセンタイル:66.11

分野:Physics, Fluids & Plasmas

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