thin films薄膜中の3MeV電子線照射による欠陥Lee, H.-S.*; 岡田 浩*; 若原 昭浩*; 大島 武; 伊藤 久義; 川北 史朗*; 今泉 充*; 松田 純夫*; 吉田 明*
Lee, H.-S.*; Okada, Hiroshi*; Wakahara, Akihiro*; Oshima, Takeshi; Ito, Hisayoshi; Kawakita, Shiro*; Imaizumi, Mitsuru*; Matsuda, Sumio*; Yoshida, Akira*
次世代の高効率の宇宙用薄膜太陽電池として期待されているCuInSe(CIS)の電子線照射による電気特性変化を調べた。CISはスパッタ法によりGaAs基板上に作製した。電子線照射は、エネルギー3MeVで、室温にて2
10
/cm
の線量まで照射を行った。ホール係数測定により、キャリア濃度及び移動度の変化を調べたところ、電子線の照射によってキャリア濃度及び移動度が減少することが見いだされた。キャリア濃度と電子線照射量の関係を解析した結果、キャリアリムーバルレートが1/cmであると見積もられた。また、キャリア濃度の温度依存性を解析することで電子線照射により、新たに欠陥に起因するエネルギー準位(54mV)が発生すること,210/cmの電子線照射により1.410/cm
の濃度の欠陥が生成されることが明らかとなった。
no abstracts in English
使用言語 |
: | English |
|---|---|---|
掲載資料名 |
: | |
巻 |
: | 64 |
号 |
: | 9-10 |
ページ数 |
: | p.1887 - 1890 |
発行年月 |
: | 2003/09 |
キーワード |
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パーセンタイル：54.68 分野：Chemistry, Multidisciplinary |
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