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Effects of high-energy proton irradiation on the density and Hall mobility of majority carriers in single crystalline n-type CuInSe$$_{2}$$ thin films

n型CuInSe$$_{2}$$単結晶薄膜の多数キャリア濃度及びHall移動度の高エネルギー陽子線照射効果

Lee, H.-S.*; 岡田 浩*; 若原 昭浩*; 吉田 明*; 大島 武; 伊藤 久義; 川北 史朗*; 今泉 充*; 松田 純夫*

Lee, H.-S.*; Okada, Hiroshi*; Wakahara, Akihiro*; Yoshida, Akira*; Oshima, Takeshi; Ito, Hisayoshi; Kawakita, Shiro*; Imaizumi, Mitsuru*; Matsuda, Sumio*

薄膜宇宙用太陽電池への応用が期待されているCuInSe$$_{2}$$半導体(CIS)の放射線照射効果を明らかにするために、0.38MeV, 1MeV, 3MeV陽子線照射によるキャリア濃度及び移動度の変化を調べた。用いた試料はガリウム砒素基板上にスパッタ法で作製したn型単結晶薄膜であり、未照射でのキャリア濃度は2$$times$$10$$^{16}$$から6$$times$$10$$^{16}$$/cm$$^{3}$$、移動度は105から135cm$$^{2}$$/Vsである。陽子線照射は室温にて1$$times$$10$$^{15}$$/cm$$^{15}$$まで行った。キャリア濃度と照射量の関係を解析することでキャリア減少率を求めたところ、3MeV陽子線照射では300cm$$^{-1}$$で0.38Mev陽子線照射では1800cm$$^{-1}$$と見積もられ、高エネルギー陽子線照射ほどキャリア減少率が低いことがわかった。この結果は、低エネルギー陽子線ほど表面付近での欠陥生成量が多く、今回のCIS薄膜試料に大きな損傷を与えるためと解釈できる。また、Hall移動度と照射量の関係を調べたところ、照射量の増加とともに移動度は減少し、1$$times$$10$$^{15}$$/cm$$^{2}$$照射では、初期値の1/3以下まで低下することが明らかになった。

no abstracts in English

使用言語

 :

English

掲載資料名

 :

Physica Status Solidi (A)

巻

 :

199

号

 :

3

ページ数

 :

p.471 - 474

発行年月

 :

2003/10

発表会議名

 :

開催年月

 :

開催都市

 :

開催国

 :

キーワード

 :

CIS半導体; 陽子線照射; キャリア濃度; Hall移動度

特許データ

 :

PDF

 :


論文URL

 :

https://doi.org/10.1002/pssa.200306669

研究データの公開先DOI

 :

使用施設

 :

TIARA(イオン照射研究施設)

広報プレスリリース

 :

論文解説記事
(成果普及情報誌)

 :

受委託・共同研究相手機関

 :

豊橋技術科学大学

Access

 :

- Accesses

InCites™

 :

パーセンタイル：21.33

分野：Materials Science, Multidisciplinary

Altmetrics

 :

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