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EPR identification of two types of carbon vacancies in 4${it H}$-SiC

電子常磁性共鳴(EPR)による4${it H}$-SiC中の二種類の炭素空孔の同定

梅田 享英*; 磯谷 順一*; 森下 憲雄; 大島 武; 神谷 富裕

Umeda, Takahide*; Isoya, Junichi*; Morishita, Norio; Oshima, Takeshi; Kamiya, Tomihiro

六方晶炭化ケイ素(4${it H}$-SiC)中のEI5及びEI6と呼ばれる欠陥の同定を行った。4${it H}$-SiCへ3MeV電子線を850$$^{circ}$$Cで照射することでEI5及びEI6を生成させた。これまでEI5は正の電荷を持つ炭素空孔、EI6は正の電荷を持つシリコンアンチサイトと考えられてきたが、$$^{29}$$Siの超微細相互作用を用いたEPR測定(角度依存性や温度依存性)より、両者ともに正の電荷を持つ炭素空孔であることが同定された。また、その構造の違いはkサイト及びhサイトという対称性のことなる結晶のサイトの違いで説明できる。

EI5 and EI6 centers in 4${it H}$-SiC were studied using EPR. EI5 and EI6 centers were introduced by 3MeV-electron irradiation at 850 $$^{circ}$$C. EI5 and EI6 were reported to be carbon vacancy with positive charge and silicon snti-site with positive charge, respectively. As a result of the angle dependence and temperature dependence measurement, both sites were identified to be carbon vacancies with positive charge. The defference between EI5 and EI6 is explained in terms of the difference of sites (like ${it k}$-site and ${it h}$-site) located in 4${it H}$-SiC.

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パーセンタイル:14.63

分野:Materials Science, Multidisciplinary

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