Analysis of transient ion beam induced current in Si PIN Photodiode

Si PINフォトダイオードにおけるイオンビーム誘起過渡電流(TIBIC)解析

小野田忍; 平尾敏雄; Laird, J. S.; 岡本毅*; 小泉義春*; 神谷富裕

Onoda, Shinobu; Hirao, Toshio; Laird, J. S.; Okamoto, Tsuyoshi*; Koizumi, Yoshiharu*; Kamiya, Tomihiro

シングルイオン照準照射技術と微弱電流時間分解能計測技術を組合せた、イオンビーム誘起過渡電流(TIBIC:Transient Ion Beam Induced Current)計測システムは、シングルイベント効果を調べるためのツールとして非常に優れており、このシステムを用いて光通信SiPINフォトダイオードのシングルイベント耐性の評価研究を行った。TIARAのタンデム加速器で加速した重イオンを、イオン種,エネルギー,入射角を変えてフォトダイオードに照射し、ダイオード内に発生する過渡電流を系統的に調べ、電荷伝搬挙動のイオン種,エネルギー,入射角度依存性並びにダイオードへの印加電圧依存性を明らかにした。

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使用言語	:	English
掲載資料名	:	Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B
巻	:	231
号	:	1-4
ページ数	:	p.497 - 501
発行年月	:	2005/04
発表会議名	:	9th International Conference on Nuclear Microprobe Technology and Applications (ICNMTA 2004)
開催年月	:	2004/09
開催都市	:	Cavtat
開催国	:	Croatia
キーワード	:	シングルイベント耐性; フォトダイオード; TIBIC

特許データ	:
PDF	:

論文URL	:	https://doi.org/10.1016/j.nimb.2005.01.106
研究データの公開先DOI	:
使用施設	:	TIARA(イオン照射研究施設)
広報プレスリリース	:
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受委託・共同研究相手機関	:

Access	:	- Accesses
Web of Science® Times Cited Count	:	被引用回数：評価・統計等のため最新の被引用回数を確認したい場合は、直接Web of Science®をご確認ください。 http://www.webofknowledge.com/wos
InCites™	:	パーセンタイル：30.27 分野：Instruments & Instrumentation
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登録番号 : B20041363
抄録集掲載番号 : 330623
論文投稿番号 : 21941

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