hole-assisted electronic processes in the Pr
Sr
MnO
(x=0.0, 0.3) system軌道のホール導入によって誘起されたPrSrMnO(x=0.0, 0.3)系の電子物性についてIbrahim, K.*; Qian, H. J.*; Wu, X.*; Abbas, M. I.*; Wang, J. O.*; Hong, C. H.*; Su, R.*; Zhong, J.*; Dong, Y. H.*; Wu, Z. Y.*; Wei, L.*; Xian, D. C.*; Li, Y. X.*; Lapeyre, G. J.*; Mannella, N.*; Fadley, C. S.*; 馬場 祐治 
Ibrahim, K.*; Qian, H. J.*; Wu, X.*; Abbas, M. I.*; Wang, J. O.*; Hong, C. H.*; Su, R.*; Zhong, J.*; Dong, Y. H.*; Wu, Z. Y.*; Wei, L.*; Xian, D. C.*; Li, Y. X.*; Lapeyre, G. J.*; Mannella, N.*; Fadley, C. S.*; Baba, Yuji
プラセオジム,ストロンチウム,マンガン酸化物が巨大磁気抵抗を持つ要因を明らかにするため、二種の組成の酸化物(PrSrMnO(x=0.0, 0.3))について、酸素K-吸収端のX線吸収スペクトル(XAS)及びO 1
22共鳴オージェ電子スペクトル(AES)を測定した。XAS, AESスペクトル双方の結果から、PrSrMnOにホールをドープすると、酸素2軌道のホールの状態密度が増加することがわかった。これはSr
をドープしてMn
を増加させるなどのホールドープにより、ホールがMn 3
軌道の
状態から酸素の2軌道に移ることを意味している。これらの結果から、酸素2軌道に存在するホールが巨大磁気抵抗などの電子物性を決定する重要な要因であることを明らかにした。
no abstracts in English
使用言語 |
: | English |
|---|---|---|
掲載資料名 |
: | |
巻 |
: | 70 |
号 |
: | 22 |
ページ数 |
: | p.224433_1 - 224433_9 |
発行年月 |
: | 2004/12 |
キーワード |
: | X-ray Absorption Spectroscopy; Auger Electron Spectroscopy; Colossal Magnetoresistance; Manganites; Hole State; Hole Doping |
論文URL |
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論文解説記事 |
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Access |
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- Accesses |
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InCites™ |
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パーセンタイル：75.08 分野：Materials Science, Multidisciplinary |
Altmetrics |
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