Native and radiation induced defects in lattice mismatched InGaAs and InGaP

格子不整合InGaAs及びInGaP中の真性及び照射欠陥

Ekins-Daukes, N. J.*; 新船幸二*; Lee, H. S.*; 佐々木拓生*; 山口真史*; Khan, A.*; 高本達也*; 安居院高明*; 上村邦夫*; 兼岩実*; 今泉充*; 大島武; 伊藤久義

Ekins-Daukes, N. J.*; Arafune, Koji*; Lee, H. S.*; Sasaki, Takuo*; Yamaguchi, Masafumi*; Khan, A.*; Takamoto, Tatsuya*; Agui, Takaaki*; Kamimura, Kunio*; Kaneiwa, Minoru*; Imaizumi, Mitsuru*; Oshima, Takeshi; Ito, Hisayoshi

GaAs基板上に作製した格子不整合In $_{0.16}$ GaAs及びIn $_{0.56}$ Ga $_{0.44}$ P太陽電池中の真性及び照射欠陥をDLTS法により調べた。In $_{0.16}$ GaAs作製後に300 $^{circ}$ Cから800 $^{circ}$ Cでの熱処理を繰り返す熱サイクル処理(TCA)により真性欠陥準位であるH1中心及びE3中心が減少し、太陽電池特性が向上することが見いだされた。また、これらの太陽電池に1MeV電子線を照射し、発生する欠陥を調べたところ、照射量の増加とともにE1, E2, H1, H2中心が増加することが明らかとなった。

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使用言語	:	English
掲載資料名	:	Proceedings of 31st IEEE Photovoltaic Specialists Conference and Exhibition (PVSC-31)
巻	:
号	:
ページ数	:	p.683 - 686
発行年月	:	2005/00
発表会議名	:	31st IEEE Photovoltaic Specialists Conference and Exhibition (PVSC-31)
開催年月	:	2005/01
開催都市	:	Florida
開催国	:	U.S.A.
キーワード	:	格子不整合InGaAs及びInGaP太陽電池; DLTS; 真性欠陥; 照射欠陥; 熱サイクル処理; 電子線照射

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広報プレスリリース	:
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受委託・共同研究相手機関	:	豊田工業大学

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登録番号 : B20041923
抄録集掲載番号 : 330668
論文投稿番号 : 21986

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