EPR and theoretical studies of positively charged carbon vacancy in 4-SiC

4-SiC中の正に帯電した炭素空孔の電子常磁性共鳴(ESR)及び理論的研究

梅田享英*; 磯谷順一*; 森下憲雄; 大島武; 神谷富裕; Gali, A.*; Dek, P.*; Son, N. T.*; Janzn, E.*

Umeda, Takahide*; Isoya, Junichi*; Morishita, Norio; Oshima, Takeshi; Kamiya, Tomihiro; Gali, A.*; Dek, P.*; Son, N. T.*; Janzn, E.*

六方晶炭化ケイ素(4-SiC)中に存在する炭素空孔(EI5, EI6)の構造について電子常磁性共鳴(EPR)法及び理論計算(ab inito法)を用いて調べた。炭素空孔は、p型4-SiC単結晶に850 $^{circ}$ Cで1MeV電子線を410 $^{18}$ /cm $^{2}$ 照射することで導入した。kサイトの炭素空孔であるEI5は、熱的運動効果でC $_{3v}$ 対称になるとわかっていたが、正確な構造は不明であった。これに対し、40K以下でのEPR測定を行った結果、EI5はヤンテラー効果でC $_{1h}$ 対称であることが判明した。さらに、EI5に対して実験的に得られたESRパラメータの値は、理論計算より求められた結果と良い一致を示した。また、熱的な励起によりEI5がC $_{1h}$ 対称からC $_{3v}$ 対称になる活性化エネルギーは0.014eVであることを見いだした。hサイトの炭素空孔であるEI6についてもEPRで分析した結果、C $_{3v}$ 対称であることが判明し、理論計算結果とも良い一致を示した。

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使用言語	:	English
掲載資料名	:	Physical Review B
巻	:	70
号	:	23
ページ数	:	p.235212_1 - 235212_6
発行年月	:	2004/12
発表会議名	:
開催年月	:
開催都市	:
開催国	:
キーワード	:	炭化ケイ素(4H-SiC); 炭素空孔(EI5, EI6); 電子常磁性共鳴(EPR); ab inito計算; 照射欠陥; 欠陥構造

特許データ	:
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論文URL	:	https://doi.org/10.1103/PhysRevB.70.235212
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広報プレスリリース	:
論文解説記事 (成果普及情報誌)	:
受委託・共同研究相手機関	:	筑波大学

Access	:	- Accesses
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InCites™	:	パーセンタイル：83.59 分野：Materials Science, Multidisciplinary
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登録番号 : A20040640
抄録集掲載番号 : 330289
論文投稿番号 : 21670

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