Xe-higher fullerenes by ion implantationXe内包フラーレンの製造渡辺 智; 片渕 竜也*; 石岡 典子; 松橋 信平; 村松 久和*
Watanabe, Satoshi; Katabuchi, Tatsuya*; Ishioka, Noriko; Matsuhashi, Shimpei; Muramatsu, Hisakazu*
Xe内包フラーレンの空フラーレンからの単離の可能性を調べることを目的とし、Xe内包C
フラーレンを生成してHPLCによる溶離挙動を調べた。蒸着法によりCフラーレンターゲットを作製し、同位体分離器を用いてXeをイオン注入した。照射後のターゲットをo-ジクロロベンゼンに溶解してHPLC分析をした結果、XeとCとのピークの強い相関が見られたことから、Xe内包Cフラーレンの生成が確認できた。また、Xe内包Cフラーレンのピークと空のフラーレンのピークとに、わずかなずれが認められたことから、空のフラーレンからのXe内包フラーレンの単離の可能性を示した。
no abstracts in English
使用言語 |
: | English |
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掲載資料名 |
: | |
巻 |
: | 272 |
号 |
: | 3 |
ページ数 |
: | p.467 - 469 |
発行年月 |
: | 2007/06 |
発表会議名 |
: | |
開催年月 |
: | 2005/10 |
開催都市 |
: | Beijing |
開催国 |
: | China |
キーワード |
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論文URL |
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使用施設 |
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論文解説記事 |
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Access |
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- Accesses |
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InCites™ |
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パーセンタイル：11.32 分野：Chemistry, Analytical |
Altmetrics |
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