Defect-engineering in SiC by ion implantation and electron irradiation

イオン注入及び電子線照射によるSiC中の欠陥工学

Pensl, G.*; Ciobanu, F.*; Frank, T.*; Kirmse, D.*; Krieger, M.*; Reshanov, S.*; Schmid, F.*; Weidner, M.*; 大島武; 伊藤久義; Choyke, W. J.*

Pensl, G.*; Ciobanu, F.*; Frank, T.*; Kirmse, D.*; Krieger, M.*; Reshanov, S.*; Schmid, F.*; Weidner, M.*; Oshima, Takeshi; Ito, Hisayoshi; Choyke, W. J.*

SiC中の欠陥を制御することで素子特性の改善に役立てることを目的に、炭化ケイ素(SiC)中及びSiC/酸化膜界面の欠陥の電気的性質を調べた。SiCへの欠陥導入には200keV及び2MeV電子線照射,窒素及び炭素イオン注入を行った。深部欠陥準位測定(DLTS)及び低温でのフォトルミネッセンス(LTPL)により欠陥を調べた結果、炭素原子のみをはじき出す200keV電子線照射では、全原子をはじき出す2MeV電子線照射とは異なる欠陥準位が観測された。また、SiC/酸化膜界面への窒素イオン注入により界面欠陥(界面準位)が観測限界以下の10 $^{10}$ /cm $^{2}$ eV $^{-1}$ まで減少することを見いだした。

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使用言語	:	English
掲載資料名	:	Microelectronic Engineering
巻	:	83
号	:	1
ページ数	:	p.146 - 149
発行年月	:	2006/01
発表会議名	:	3rd International Conference on Materials for Advanced Technologies (ICMAT 2005)/International Union of Materials Research Societies 9th International Conference on Advanced Materials (IUMRS-ICAM 2005)
開催年月	:	2005/07
開催都市	:	Singapore
開催国	:	Singapore
キーワード	:	炭化ケイ素(SiC); 電子線照射; イオン注入; 欠陥; 界面準位; DLTS; LTPL

特許データ	:
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論文URL	:	https://doi.org/10.1016/j.mee.2005.10.040
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InCites™	:	パーセンタイル：59.32 分野：Engineering, Electrical & Electronic
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登録番号 : B20050456
抄録集掲載番号 : 34000311
論文投稿番号 : 432

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