/p-AlInGaP solar cellsp接合型AlInGaP太陽電池への低エネルギー陽子線照射効果Lee, H. S.*; 山口 真史*; Ekins-Daukes, N. J.*; Khan, A.*; 高本 達也*; 今泉 充*; 大島 武; 伊藤 久義
Lee, H. S.*; Yamaguchi, Masafumi*; Ekins-Daukes, N. J.*; Khan, A.*; Takamoto, Tatsuya*; Imaizumi, Mitsuru*; Oshima, Takeshi; Ito, Hisayoshi
次世代の高効率多接合太陽電池のトップセルとして期待されるnp接合型AlInGaP太陽電池へ30keV陽子線照射を行い、生成する欠陥をDLTS(Deep Level Transient Spectroscopy)法により調べた。その結果、二種類の多数キャリアトラップ(HP1, HP2)及び二種類の少数キャリアトラップ(EP1, EP2)を見いだした。温度依存性よりエネルギー準位を見積もったところ、HP1はE
+0.90eV、EP1はE
-0.54eVであると決定できた。3MeV陽子線照射の報告と比較することで、EP1はリン空孔が関与した複合欠陥に由来すると帰結できた。さらに、照射試料に対し室温にて100mA/cm
の電流注入を行ったところ、HP1トラップが減少し、それに応じて正孔濃度が増加することが明らかになり、電流注入による太陽電池特性の回復現象にHP1が関与すると結論できた。
no abstracts in English
使用言語 |
: | English |
|---|---|---|
掲載資料名 |
: | |
巻 |
: | 376-377 |
号 |
: | |
ページ数 |
: | p.564 - 567 |
発行年月 |
: | 2006/04 |
発表会議名 |
: | 23rd International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS-23) |
開催年月 |
: | 2005/07 |
開催都市 |
: | Awaji |
開催国 |
: | Japan |
キーワード |
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論文URL |
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使用施設 |
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論文解説記事 |
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受委託・共同研究相手機関 |
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Access |
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- Accesses |
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InCites™ |
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パーセンタイル：12.58 分野：Physics, Condensed Matter |
Altmetrics |
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