セラミックスの照射影響に関する基礎調査(その2)

Investigation of Radiation Effects on Ceramics (2)

丸山 忠司*

Maruyama, Tadashi*

中性子照射した炭化ホウ素(B4C)とSICの組織変化挙動を解明するため、加速器を用いたイオン照射試験を行った。この試験に用いたB4C試料は、炭素還元法で作成したB4Cとマグネシウム還元法で作成したB4C焼結体である。また、SICはCVD法により作成した-SICである。これら試料はタンデム加速器を用いてそれぞれ15MEVおよび25MEVのヘリウムおよび炭素イオン照射をした。HEイオン照射量は0.431110の15乗ION/CM2、またCイオンは0.8810の14乗ION/CM2照射温度は413760である。照射後試料は透過型電子顕微鏡(TEM)を用いて組織観察を行った。炭化ホウ素のTEM観察結果では、マグネシウム還元粉を用いたB4Cには粒界の3重点にFEを多く含む微結晶が存在しているのに対し、炭素還元粉B4Cでは、FEの偏析も見られず均一な組織をしていた。HEイオン照射では中性子照射試料に見られるような黒点損傷およびレンズ状バブルが観察されず、非晶質化した母相の中にFEを含む多数の微結晶の析出とHEバブルと思われるネットワーク構造が見られた。照射欠陥ならびにヘリウムの析出挙動が中性子照射の場合と大きく異なる結果になったが、これはイオン照射でははじき出し損傷速度が大きなため、B4Cが非晶質化したためによるものと思われた

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