イオンビームスパッタ蒸着法による-FeSi薄膜の作製と微細構造に及ぼす基板前処理効果

Effect of surface treatment of Si substrate on the crystal structure of -FeSi film prepared by ion beam sputter deposition (IBSD) method

笹瀬 雅人*; 山本 博之; 山口 憲司; 志村 憲一郎

Sasase, Masato*; Yamamoto, Hiroyuki; Yamaguchi, Kenji; Shimura, Kenichiro

-FeSiの作製はシリサイド化反応を促進するため高温を要するが、その過程で容易に凝集する。したがって、連続膜としてエピタキシャル成長させることが困難であった。本研究では、サーマルエッチング(TE)法とスパッタエッチング(SE)法による表面処理を行った2種類のSi(100)基板を用い、表面処理の違いがイオンビームスパッタ蒸着法で作製した-FeSi薄膜の微細構造に与える影響を、透過型電子顕微鏡による断面観察を通じて比較検討した。その結果、SE法で基板前処理を行った場合、界面が急峻で、基板に対して(100)//(100)という方位関係を有する-FeSiのエピタキシャル膜が作製できることを示した。

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