イオン注入法によるチタン薄膜の窒化機構

Nitriding mechanism of titanium thin films by ion implantation

粕壁善隆*; Wang, J. J.*; 山村力*; 藤野豐*; 山本春也; 吉川正人

Kasukabe, Yoshitaka*; Wang, J. J.*; Yamamura, Tsutomu*; Fujino, Yutaka*; Yamamoto, Shunya; Yoshikawa, Masahito

チタンと窒素の組成比によって金属性から絶縁性まで変わる不定比化合物チタンは、次世代のデバイス材料として応用が期待されている。本研究では、窒素イオン注入法による窒化Ti薄膜の形成過程を透過電子顕微鏡法(TEM)及び電子エネルギー損失分光(EELS)でその場観察し、分子軌道計算による電子状態の計算結果と併せて評価することにより、窒化Ti薄膜の形成機構及び配向の制御性に関する知見を得てきた。本報告では、窒素イオン注入によるTi薄膜の窒素化過程とそのメカニズム、すなわち、「エピタキシャル」変態機構について紹介する。

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使用言語	:	Japanese
掲載資料名	:	まてりあ
巻	:	45
号	:	1
ページ数	:	p.23 - 31
発行年月	:	2006/01
発表会議名	:
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キーワード	:	no keyword

特許データ	:
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論文URL	:	http://ci.nii.ac.jp/naid/10017153292
研究データの公開先DOI	:
使用施設	:	TIARA(イオン照射研究施設)
広報プレスリリース	:
論文解説記事 (成果普及情報誌)	:
受委託・共同研究相手機関	:	東北大学

Access	:	- Accesses
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登録番号 : AA20050182
抄録集掲載番号 : 34000182
論文投稿番号 : 330

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