IBSD--FeSi薄膜の微細構造に及ぼすスパッタエッチング処理の効果

Sputter etching effect of the substrate on the microstructure of -FeSi thin film prepared by IBSD method

笹瀬 雅人*; 志村 憲一郎*; 山口 憲司; 山本 博之; 社本 真一  ; 北條 喜一

Sasase, Masato*; Shimura, Kenichiro*; Yamaguchi, Kenji; Yamamoto, Hiroyuki; Shamoto, Shinichi; Hojo, Kiichi

本研究では、-FeSi薄膜の微細構造に与えるスパッタ条件の影響を明らかにするために、異なるスパッタ条件で処理し作製した-FeSi薄膜の微細構造について断面TEM観察(XTEM)により検討した。基板は Si(001)基板を用い、加速電圧,照射量を変化させスパッタすることにより表面を処理した。スパッタ処理条件は、加速電圧1, 3, 4keV,照射量310,310 ion/cmとした。また蒸着は35keV Ar(180A)をFeターゲットに照射して行った。成膜速度は0.5nm/min,膜厚は30nmで一定とし、各基板を973Kに保ち成膜した。薄膜の微細構造は高分解能透過型電子顕微鏡を用い、断面方向より観察した。実験結果より、加速電圧1keVでは界面が急峻で高配向膜の生成が確認された。一方、加速電圧を増加させるとダメージ量が大きくなり、表面平坦性も急激に悪くなり、多数の結晶粒が島状になって存在し連続膜は得られなかった。スパッタ処理を行わない場合は必ずしも高配向膜とはならないことから、これらの結果はスパッタ処理の最適条件が存在することを示唆している。

no abstracts in English