Nucleation of oxides during dry oxidation of Si(001)-21 studied by scanning tunneling microscopy

走査型トンネル顕微鏡を用いたドライ酸化によるSi(001)-21面上の核発生の研究

Togashi, Hideaki*; Asaoka, Hidehito; Yamazaki, Tatsuya; Suemitsu, Maki*

Si(001)面のシリコン酸化膜の制御を可能にするため、1層未満の酸化過程をSTMを用いて解析した。その結果、酸化初期段階において酸化物1次元チェーンが発生し、酸化物アイランドの構成原子数が4個以上になると2次元平面成長に転じる初期酸化過程におけるモフォロジーの変化を見いだした。

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使用言語	:	English
掲載資料名	:	Japanese Journal of Applied Physics, Part 2
巻	:	44
号	:	45
ページ数	:	p.L1377 - L1380
発行年月	:	2005/10
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キーワード	:	no keyword

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論文URL	:	https://doi.org/10.1143/JJAP.44.L1377
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広報プレスリリース	:
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受委託・共同研究相手機関	:	東北大学

Access	:	- Accesses
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InCites™	:	パーセンタイル：13.7 分野：Physics, Applied
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登録番号 : AA20050258
抄録集掲載番号 : 34000291
論文投稿番号 : 405

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