Si(001)-21ドライ初期酸化過程における基板不純物効果

Effect of dopant on the initial growth mode of oxide islands during dry oxidation of Si(001)-21 surface

Togashi, Hideaki*; Suemitsu, Maki*; Asaoka, Hidehito; Yamazaki, Tatsuya

Si(001)面のシリコン酸化膜の制御を可能にするため、1層未満の酸化過程をSTMを用いて解析し、その結果、基板不純物B濃度の上昇に伴う酸化物2Dアイランドから1Dアイランドの生成比率の上昇を見いだした。表面偏析したBによって誘起される表面歪みが2Dアイランド形成を抑制するためと考えており、表面に析出したB濃度の解析結果を合わせて発表する。

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使用言語	:	Japanese
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発表会議名	:	平成17年度日本表面科学会東北支部講演会
開催年月	:	2006/03
開催都市	:	仙台
開催国	:	日本
キーワード	:	no keyword

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受委託・共同研究相手機関	:	東北大学

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登録番号 : BB20051335
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