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Photoluminescence evaluation of light element impurities in ultrathin SOI wafers by luminescence activation using electron irradiation

電子線照射を用いた発光活性による極薄SOI基板中の軽元素不純物のフォトルミネッセンス評価

中川 聰子*; 曽根 理嗣*; 田島 道夫*; 大島 武; 伊藤 久義

Nakagawa, Satoko*; Sone, Yoshitsugu*; Tajima, Michio*; Oshima, Takeshi; Ito, Hisayoshi

SOI(Silicon On Insulator)基板の極薄トップ層に含まれる軽元素不純物の評価方法を開発するために、1MeV電子線を3$$times$$10$$^{16}$$$$sim$$1$$times$$10$$^{17}$$/cm$$^{2}$$照射したSOI基板のトップ層をフォトルミネッセンスで評価した。トップ層のみからの情報を得るため励起光に紫外光(Arレーザー,波長351,364nm)を用い、4.2Kでのフォトルミネッセンス測定を行った。その結果、未照射試料では見られない格子間炭素-格子間酸素に起因するCラインや格子間炭素-格子置換位置炭素に起因するGラインと呼ばれる発光が照射後に観測され、電子線照射を行うことでSOIのトップ層に含まれる微量の炭素や酸素不純物が検出できることを見いだした。

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パーセンタイル:6.67

分野:Materials Science, Multidisciplinary

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