中川 聰子*; 曽根 理嗣*; 田島 道夫*; 大島 武; 伊藤 久義
Nakagawa, Satoko*; Sone, Yoshitsugu*; Tajima, Michio*; Oshima, Takeshi; Ito, Hisayoshi
SOI(Silicon On Insulator)基板の極薄トップ層に含まれる軽元素不純物の評価方法を開発するために、1MeV電子線を3
10
110
/cm
照射したSOI基板のトップ層をフォトルミネッセンスで評価した。トップ層のみからの情報を得るため励起光に紫外光(Arレーザー,波長351,364nm)を用い、4.2Kでのフォトルミネッセンス測定を行った。その結果、未照射試料では見られない格子間炭素-格子間酸素に起因するCラインや格子間炭素-格子置換位置炭素に起因するGラインと呼ばれる発光が照射後に観測され、電子線照射を行うことでSOIのトップ層に含まれる微量の炭素や酸素不純物が検出できることを見いだした。
no abstracts in English
使用言語 |
: | English |
|---|---|---|
掲載資料名 |
: | |
巻 |
: | 134 |
号 |
: | 2-3 |
ページ数 |
: | p.172 - 175 |
発行年月 |
: | 2006/10 |
発表会議名 |
: | European Materials Research Society 2006 Spring Meeting (E-MRS 2006 Spring Meeting) |
開催年月 |
: | 2006/05 |
開催都市 |
: | Nice |
開催国 |
: | France |
キーワード |
: | no keyword |
論文URL |
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使用施設 |
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論文解説記事 |
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受委託・共同研究相手機関 |
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Access |
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- Accesses |
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InCites™ |
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パーセンタイル：6.64 分野：Materials Science, Multidisciplinary |
Altmetrics |
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