イオン注入基板を用いた柱状酸化亜鉛の光学特性制御

Visible photoluminescence of ZnO rods grown on Cu implanted Substrate

武山 昭憲; 山本 春也; 吉川 正人; 伊藤 洋

Takeyama, Akinori; Yamamoto, Shunya; Yoshikawa, Masahito; Ito, Hiroshi

酸化亜鉛は安価かつ無毒性の可視光発光材料であり、低速電子線を用いたディスプレイ用薄膜発光材料として注目されている。しかし、その可視光発光は酸化亜鉛中の格子欠陥種及び量に依存するため制御が困難であり、任意波長の可視光を発光させる技術が強く求められてきた。本研究では、大きな表面積を有し高い強度の発光が期待される柱状酸化亜鉛に着目し、これをイオン注入基板上に成長させることにより可視光発光の制御を試みた。熱処理した銅イオン注入シリコン基板上に柱状酸化亜鉛を作製し発光特性を調べた結果、不活性雰囲気中500C20分間熱処理した注入基板を用いると、未注入のシリコン基板と比べ約40nm短波長で発光する柱状態酸化亜鉛を作製可能であることがわかった。また熱処理時間により柱状酸化亜鉛の可視光発光が制御可能であることがわかった。

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