Density limit in discharges with high internal inductance on JT-60U

JT-60Uにおける高い内部インダクタンスを持つプラズマの密度限界

山田 弘司*; 竹永 秀信; 鈴木 隆博; 藤田 隆明; 滝塚 知典; 鎌田 裕; 朝倉 伸幸; 津田 孝; 武智 学; 松永 剛; 三浦 幸俊

Yamada, Hiroshi*; Takenaga, Hidenobu; Suzuki, Takahiro; Fujita, Takaaki; Takizuka, Tomonori; Kamada, Yutaka; Asakura, Nobuyuki; Tsuda, Takashi; Takechi, Manabu; Matsunaga, Go; Miura, Yukitoshi

トカマク装置での運転密度限界に関する物理機構を明らかにするために、運転密度限界に対する周辺部磁気シアの効果について調べた。JT-60Uにおいてプラズマ電流ランプダウンにより周辺部磁気シアを強めた場合、トカマクでの密度限界の指標であるグリーンワルド密度の1.5倍の密度(f=1.5)で、かつ良好な閉じ込め特性(H=1.5)を維持したプラズマを過渡的に得た。このとき、周辺部磁気シアの指標である内部インダクタンス()は2.8に達している。このようなプラズマは通常の電流フラットトップでは実現できていない。 =1.22, f=1.23でディスラプションした場合と、 =1.60, f=1.41でディスラプションしなかった場合を比較した結果、後者は周辺密度が高いものの、周辺温度も高く、またモーショナルシュタルク効果を利用して測定した周辺部磁気シアが強いことがわかった。テアリングモードのMHD安定性解析では、周辺磁気シアの強さによる両者の違いは顕著に見られない。が大きい場合は、閉じ込め特性の改善により周辺温度が高くなることが、高い密度を得ることができた原因であると考えられる。

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