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Evaluation of unintentionally doped impurities in silicon carbide substrates using neutron activation analysis

放射化分析を用いた炭化ケイ素基板中の微量不純物の評価

大島 武; 徳永 興公*; 一色 正彦*; 笹島 文雄; 伊藤 久義

Oshima, Takeshi; Tokunaga, Okihiro*; Isshiki, Masahiko*; Sasajima, Fumio; Ito, Hisayoshi

炭化ケイ素(SiC)基板作製時に意図せずに混入する微量不純物を放射化分析を用いて評価した。昇華法により作製された市販の高品質高抵抗六方晶(4H)SiC及び化学気相成長法により作製された市販のn型立方晶(3C)SiCを試料として用いた。試料表面の汚染を取り除くために有機洗浄(アセトン,エタノール)及び酸(硝酸,フッ酸)処理を行った後に、原子力機構JRR-3にて中性子照射(1時間又は100時間)を行った。k0法により基板に含まれる微量不純物を評価した結果、4H-SiC, 3C-SiCともに、亜鉛,砒素,臭素,モリブデン,アンチモンが含まれることが判明した。また、これ以外にも、4H-SiCからは鉄,タンタル,タングステン,金が、3C-SiCからはランタンが検出された。

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