陽子線照射したIII-V族半導体太陽電池の電流注入による特性回復

Investigation of performance recovery of III-V solar cells irradiated with protons by current injection

佐藤真一郎; 宮本晴基; 大島武; 今泉充*; 森岡千晴*; 河野勝泰*; 伊藤久義

Sato, Shinichiro; Miyamoto, Haruki; Oshima, Takeshi; Imaizumi, Mitsuru*; Morioka, Chiharu*; Kawano, Katsuyasu*; Ito, Hisayoshi

陽子線を照射することで劣化したIII-V族半導体太陽電池の電流注入による発電特性の回復現象を調べた。InGaP/GaAs/Ge三接合太陽電池に50keV又は10MeVの陽子線をそれぞれ $1times10^{12}$ 及び $1 times10^{10}$ ions/cmのフルエンスまで室温で照射したのちに同じく室温で電流注入を行い、電気特性の回復を調べた。その結果、開放電圧が50keV陽子線照射試料においておよそ1%, 10MeV陽子線照射試料においておよそ0.3%回復した。一方、短絡電流に関しては、回復現象は観測されなかった。このことは、今回用いた三接合太陽電池では、電流注入により少数キャリアの再結合中心となる欠陥は影響を受けないが、多数キャリアを補償する欠陥がアニールされたことを示唆している。

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使用言語	:	Japanese
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発表会議名	:	超高効率光起電力変換共同研究推進センター第4回シンポジウム
開催年月	:	2006/10
開催都市	:	名古屋
開催国	:	日本
キーワード	:	no keyword

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使用施設	:	TIARA(イオン照射研究施設)
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受委託・共同研究相手機関	:	宇宙航空研究開発機構

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