イオンビームスパッタ蒸着法で作製した-FeSiのPL特性に対するスパッタエッチ効果

Sputter etching effects on photoluminescence of -FeSi fabricated by ion beam sputter deposition method

Zhuravlev, A. V.; 山本 博之; 志村 憲一郎*; 山口 憲司; 社本 真一  ; 北條 喜一; 寺井 隆幸*

Zhuravlev, A. V.; Yamamoto, Hiroyuki; Shimura, Kenichiro*; Yamaguchi, Kenji; Shamoto, Shinichi; Hojo, Kiichi; Terai, Takayuki*

イオンビームスパッタ蒸着(IBSD)法によりSi基板上に-FeSi薄膜を作製する際、Si基板のスパッタ処理というイオン誘起効果を伴う。このことが薄膜からの発光スペクトルの解釈を困難にしている。本研究では、発光測定を用いてIBSD法による-FeSi薄膜作製におけるスパッタエッチ過程を調べ、Si基板への照射効果という観点から測定結果の解釈を試みた。実験では、973 KにてSi(100)基板上に鉄(Fe)を蒸着させ-FeSi薄膜を作製した。蒸着の前に、基板は室温で1-10keVのNeイオンでスパッタ処理されている。発光測定は10-300Kの温度範囲で行った。実験の結果、試料は、IBSDの各作製過程において特徴的なスペクトルを示すことがわかった。特に、スパッタ処理直後のSi基板は、1073Kにて(真空中で)アニールされているにもかかわらず、D3, D4バンドといった欠陥(転位)に起因する発光を示すことがわかった。さらに、講演では、薄膜の発光特性とスパッタ処理時のイオンエネルギーの関係についても報告する予定である。

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