Chen, Z. Q.*; 前川 雅樹; 河裾 厚男; 境 誠司; 楢本 洋
Chen, Z. Q.*; Maekawa, Masaki; Kawasuso, Atsuo; Sakai, Seiji; Naramoto, Hiroshi
酸化亜鉛(ZnO)結晶にエネルギー3MeV,照射量5.5
10
cm
の電子線照射を行い、格子欠陥の発生及び熱アニールによる欠陥回復過程を陽電子消滅法を用いて評価した。照射後には陽電子寿命及びドップラー広がり幅(Sパラメータ)の増大が見られた。これはZn空孔に関連した欠陥の発生を示している。この照射欠陥のほとんどは200度までの熱アニールにより消失した。しかし、400度でのアニールを行ったところ、これとは異なった種類の欠陥が生成することがわかった。700度の熱アニールでは、すべての種類の空孔型欠陥が消失した。
no abstracts in English
使用言語 |
: | English |
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掲載資料名 |
: | |
巻 |
: | 376-377 |
号 |
: | |
ページ数 |
: | p.722 - 725 |
発行年月 |
: | 2006/04 |
発表会議名 |
: | 23rd International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS-23) |
開催年月 |
: | 2005/07 |
開催都市 |
: | Awaji |
開催国 |
: | Japan |
キーワード |
: | no keyword |
論文URL |
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使用施設 |
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論文解説記事 |
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Access |
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- Accesses |
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InCites™ |
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パーセンタイル：62.98 分野：Physics, Condensed Matter |
Altmetrics |
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