ZnO as fast EUV scintillator for the next generation lithography

ZnOの次世代リソグラフィーにおけるEUVシンチレーターとしての特性に関する研究

田中 桃子; 古川 裕介*; 村上 英利*; 猿倉 信彦*; 錦野 将元; 永島 圭介; 木村 豊秋; 山谷 寛; 吉川 彰*; 福田 承生*

Tanaka, Momoko; Furukawa, Yusuke*; Murakami, Hidetoshi*; Sarukura, Nobuhiko*; Nishikino, Masaharu; Nagashima, Keisuke; Kimura, Toyoaki; Yamatani, Hiroshi; Yoshikawa, Akira*; Fukuda, Tsuguo*

波長13.9nmのニッケル様銀X線レーザーを励起光源としてZnO結晶の時間分解発光計測を行い、波長380nm付近の発光で発光寿命3nm以下という結果を得た。この結果は紫外光(波長350nm)励起による発光計測の結果と同じであり、発光寿命も短いことから、この物質がEUV領域でのシンチレーション物質として有用であることを示している。

Using Ni-like Ag extreme ultraviolet (EUV) laser operated at 13.9-nm, ZnO is shown to be the excellent scintillator in this wavelength region with sufficiently short response time of less than 3 nsec and prominent peak fluorescence originated form exciton at 380 nm.