格子不整合太陽電池中の電子線照射誘起欠陥

Electron radiation induced defects in lattice-mismatched solar cells

佐々木拓生*; Ekins-Daukes, N. J.*; Lee, H. S.*; 高本達也*; 今泉充*; 大島武; 伊藤久義; 山口真史*

Sasaki, Takuo*; Ekins-Daukes, N. J.*; Lee, H. S.*; Takamoto, Tatsuya*; Imaizumi, Mitsuru*; Oshima, Takeshi; Ito, Hisayoshi; Yamaguchi, Masafumi*

次世代の高効率太陽電池候補の一つである格子不整合多接合太陽電池のミドルセルとして期待されるInGaAs太陽電池の電子線照射欠陥をDeep Level Transient Spectroscopy(DLTS)法により調べた。化学気相法によりGaAs基板上に作製したIn $_{0.16}$ Ga $_{0.84}$ As太陽電池へ1MeV電子線を室温で110 $^{16}$ /cm $^{2}$ し、DLTS測定を行ったところ、H0(Ev+0.26eV)とラベル付けされた正孔トラップとE1(Ev+0.34eV)及びE2(Ev+0.45eV)とラベル付けされた二つの電子トラップが電子線照射により発生することが見いだされた。

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使用言語	:	Japanese
掲載資料名	:	JAEA-Review 2006-042, JAEA Takasaki Annual Report 2005
巻	:
号	:
ページ数	:	P. 7
発行年月	:	2007/02
発表会議名	:
開催年月	:
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キーワード	:	no keyword

特許データ	:
PDF	:

論文URL	:	https://jopss.jaea.go.jp/pdfdata/JAEA-Review-2006-042.pdf
研究データの公開先DOI	:
使用施設	:	電子加速器
広報プレスリリース	:
論文解説記事 (成果普及情報誌)	:
受委託・共同研究相手機関	:	豊田工業大学

Access	:	- Accesses
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登録番号 : AA20070177
抄録集掲載番号 :
論文投稿番号 : 3769

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