若原 昭浩*; 岡田 浩*; 及川 文武*; 竹本 和正*; 大島 武; 伊藤 久義
Wakahara, Akihiro*; Okada, Hiroshi*; Oikawa, Fumitake*; Takemoto, Kazumasa*; Oshima, Takeshi; Ito, Hisayoshi
耐放射線性の光エレクトロニクス素子の開発のために、Tb添加したAlGaNのフォトルミネッセンス特性を調べた。200keVのイオン注入によりTbをAlGaNへ導入し、その後、窒素とアンモニアの混合ガス中で1100
C,120秒の熱処理を行うことで結晶損傷を回復させた。時間分解フォトルミネッセンス測定より得られた発光の減衰過程を解析することで遷移過程に関して考察を行ったところ、GaNに比べAlNでは、母材からTbへのエネルギー遷移(Transfer)が増加し発光強度が増加することに加え、熱緩和による発光を阻害する過程(Back-transfer)も減少することが判明した。
no abstracts in English
使用言語 |
: | English |
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掲載資料名 |
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巻 |
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号 |
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ページ数 |
: | P. 17 |
発行年月 |
: | 2007/02 |
キーワード |
: | no keyword |
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使用施設 |
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論文解説記事 |
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