サトウキビの生育からみた有用変異体作出に適するイオンビーム線量

The Optimum dose of ion beam irradiation to generate useful mutants for sugarcane growth

遠嶋 太志*; 竹之下 佳久*; 長谷 健*; 白尾 吏*; 大江 正和*; 上野 敬一郎*; 田中 淳; 長谷 純宏

Tojima, Futoshi*; Takenoshita, Yoshihisa*; Nagatani, Takeshi*; Shirao, Tsukasa*; Oe, Masakazu*; Ueno, Keiichiro*; Tanaka, Atsushi; Hase, Yoshihiro

沖縄県久米島地域及び鹿児島県奄美地域を普及対象として育成されたサトウキビ品種「Ni17」は株出し適性が高く、耐風性も強い。しかし、葉鞘部に着生する毛群が粗剛であるため、収穫や栽苗等の作業に障害をきたしている。そこで、イオンビーム照射による突然変異誘発により毛群の少ない優良系統の育成を試みた。今回、サトウキビのほ場生育を指標としたイオンビーム照射線量を検討した。品種「Ni17」の葉片への照射に炭素イオンビーム(C320)を利用する場合は、2Gy以上の照射では個体再生率の低下が著しく、仮茎長や茎径の減少といった不良変異の影響が大きいため、2Gy程度の線量が適当であると考えられた。

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