AlInGaP単一接合太陽電池の光学的評価

Optical properties of AlInGaP single junction solar cell

森岡千晴*; 杉本広紀*; 佐藤真一郎; 今泉充*; 大島武; 田島道夫*; 岐部公一*

Morioka, Chiharu*; Sugimoto, Hiroki*; Sato, Shinichiro; Imaizumi, Mitsuru*; Oshima, Takeshi; Tajima, Michio*; Kibe, Koichi*

高い変換効率と耐放射線性を有する三接合太陽電池(InGaP/GaAs/Ge)は宇宙用太陽電池の主流となりつつあるが、本研究ではこの三接合太陽電池のさらなる性能向上を目指し、InGaPトップ層へのAl添加について検討した。InGaPにAlを加えると、バンドギャップの増大に伴う出力電圧や耐放射線性の向上などが期待される。GaAs基板上にAl $_{0.2}$ In $_{0.5}$ Ga $_{0.3}$ PをMOCVDにより積層して、1cm1cmの太陽電池を作製し、1MeV電子線及び3MeV陽子線を照射することによってその耐放射線性を調べた。また、未照射のAlInGaP結晶の光学的評価を室温フォトルミネッセンス測定により行ったところ、1.9eVと2.0eV付近に発光ピークが確認された。これらはAlInGaPとInGaPのバンドギャップに相当していることから、結晶成長中に層内で相分離が起きていると考えられるため、今後の課題といえる。

no abstracts in English

使用言語	:	Japanese
掲載資料名	:
巻	:
号	:
ページ数	:
発行年月	:
発表会議名	:	2007年秋季第68回応用物理学会学術講演会
開催年月	:	2007/09
開催都市	:	札幌
開催国	:	日本
キーワード	:	no keyword

特許データ	:
PDF	:

論文URL	:
研究データの公開先DOI	:
使用施設	:
広報プレスリリース	:
論文解説記事 (成果普及情報誌)	:
受委託・共同研究相手機関	:	宇宙航空研究開発機構

Access	:	- Accesses
Web of Science® Times Cited Count	:	被引用回数：評価・統計等のため最新の被引用回数を確認したい場合は、直接Web of Science®をご確認ください。 http://www.webofknowledge.com/wos
InCites™	:
Altmetrics	:

登録番号 : BB20071980
抄録集掲載番号 :
論文投稿番号 :

[CLARIVATE ANALYTICS], [WEB OF SCIENCE], [HIGHLY CITED PAPER & CUP LOGO] and [HOT PAPER & FIRE LOGO] are trademarks of Clarivate Analytics, and/or its affiliated company or companies, and used herein by permission and/or license.