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Structural formation on semiconductor surfaces

半導体表面の構造体形成

朝岡 秀人 ; 山田 洋一; 山崎 竜也; Girard, A.*; 山本 博之; 社本 真一  ; Arnoldo, A.*; 後藤 成一*; 末光 眞希*

Asaoka, Hidehito; Yamada, Yoichi; Yamazaki, Tatsuya; Girard, A.*; Yamamoto, Hiroyuki; Shamoto, Shinichi; Arnoldo, A.*; Goto, Seiichi*; Suemitsu, Maki*

半導体表面のナノ構造作製に関して、Si(111)7$$times$$7表面上へのGeドット作製初期過程のストレスその場観察と、Si(110)16$$times$$2再構成面の1次元構造の作製に関しての最近の実験結果を示した。

We reports the recent progress about structural formation on semiconductor surface: real-time stress analysis of Ge nanodot growth on Si(111)-7$$times$$7 surfaces, and preparation of the single-domained Si(110)-16$$times$$2 surface.

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